Жесткие диски и SSD sk hynix, samsung в Бишкеке, Кыргызстане

форм-фактор: 2.5" емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 1000 МБ тип флэш-памяти: V-NAND 4bit MLC контроллер: Samsung MGX потребляемая мощность: 4 Вт время наработки на отказ: 1500000 ч рекомендован: для ноутбука и настольного компьютера ШхДхВ: 69.85х100х6.80 мм,...

Объем 1000 Гб; форм-фактор M2 2280; скорость чтения до 3500 Мб/с; скорость записи до 3000 Мб/с; интерфейс NVMe PCIe Gen 3.0 х4

Объем 500 Гб; форм-фактор M2 2280; скорость чтения до 3500 Мб/с; скорость записи до 3200 Мб/с

Твердотельный накопитель; объем 256 GB; интерфейс NVMe PCIe Gen3 x4; скорость чтения 1600 Mb/s; скорость записи 900 Mb/s; форм-фактор M.2 2280

Объем 500 Гб; форм-фактор M2 2280; скорость чтения до 3100 Мб/с; скорость записи до 2600 Мб/с; интерфейс NVMe PCIe Gen 3.0 х4

Объем 500 Гб; форм-фактор M2 2280; скорость чтения до 6900 Мб/с; скорость записи до 5000 Мб/с; интерфейс NVMe PCIe Gen 4.0 х4

Объем 500 Гб; физический интерфейс SATA; тип чипов памяти MLC V-NAND; форм-фактор 2.5"; скорость чтения до 560 Мб/с; скорость записи до 530 Мб/с

Тип внутренний твердотельный накопитель; Объем 1000 ГБ; Разъем M.2 есть; Скорость чтения 3500 МБ/с; Скорость записи 3300 МБ/с

Объем 1000 Гб; физический интерфейс SATA; тип чипов памяти MLC V-NAND; форм-фактор 2.5"; скорость чтения до 560 Мб/с; скорость записи до 530 Мб/с

Объем 4000 Гб; физический интерфейс SATA; тип чипов памяти MLC V-NAND; форм-фактор 2.5"; скорость чтения до 560 Мб/с; скорость записи до 530 Мб/с