Жесткие диски и SSD samsung, patriot, ssstc, twinmos, goodram в Бишкеке, Кыргызстане

Объем 128 Гб; скорость чтения до 508 Мб/с; скорость записи до 230 Мб/с; форм-фактор 2280; интерфейс подключения M.2 SATA

форм-фактор: 2.5" емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 1000 МБ тип флэш-памяти: V-NAND 4bit MLC контроллер: Samsung MGX потребляемая мощность: 4 Вт время наработки на отказ: 1500000 ч рекомендован: для ноутбука и настольного компьютера ШхДхВ: 69.85х100х6.80 мм,...

Объем 1000 Гб; форм-фактор M2 2280; скорость чтения до 3500 Мб/с; скорость записи до 3000 Мб/с; интерфейс NVMe PCIe Gen 3.0 х4

Объем 2000 Гб; скорость чтения до 555 Мб/с; скорость записи до 555 Мб/с; форм-фактор 2.5; интерфейс подключения SATA

Объем 1000 Гб; скорость чтения до 550 Мб/с; скорость записи до 500 Мб/с; форм-фактор 2.5; интерфейс подключения SATA

Объем 256 Гб; скорость чтения до 550 Мб/с; скорость записи до 480 Мб/с; форм-фактор 2.5; интерфейс подключения SATA

Объем 480 Гб; скорость чтения до 540 Мб/с; скорость записи до 460 Мб/с; форм-фактор 2.5; интерфейс подключения SATA

Объем 240 Гб; скорость чтения до 520 Мб/с; скорость записи до 400 Мб/с; форм-фактор 2.5; интерфейс подключения SATA

Объем 512 Гб; скорость чтения до 2000 Мб/с; скорость записи до 1600 Мб/с; форм-фактор 2280; интерфейс подключения M.2 PCIe 3.0 x4

Объем 1000 Гб; физический интерфейс SATA; тип чипов памяти TLC 3D NAND; форм-фактор 2.5"; скорость чтения до 520 Мб/с; скорость записи до 430 Мб/с

Объем накопителя 256 Гб; скорость чтения 500 Мб/сек; скорость записи 400 Мб/сек; форм-фактор 2.5"; интерфейс SATA

Объем 500 Гб; форм-фактор M2 2280; скорость чтения до 3500 Мб/с; скорость записи до 3200 Мб/с

Объем 960 Гб; форм-фактор 2.5"; скорость чтения до 450 Мб/с; скорость записи до 320 Мб/с; интерфейс SATA 6Gb/s

Объем 128 Гб; скорость чтения до 3500 Мб/с; скорость записи до 3000 Мб/с; форм-фактор 2280; интерфейс подключения PCIe 3.0 x4 M.2

Объем 256 Гб; скорость чтения до 3500 Мб/с; скорость записи до 3000 Мб/с; форм-фактор 2280; интерфейс подключения PCIe 3.0 x4 M.2

Объем 512 Гб; скорость чтения до 3500 Мб/с; скорость записи до 3000 Мб/с; форм-фактор 2280; интерфейс подключения PCIe 3.0 x4 M.2

Объем 480 Гб; скорость чтения до 1700 Мб/с; скорость записи до 1500 Мб/с; форм-фактор M.2 2280; интерфейс подключения PCIe Gen3 x4

Объем 500 Гб; форм-фактор M2 2280; скорость чтения до 3100 Мб/с; скорость записи до 2600 Мб/с; интерфейс NVMe PCIe Gen 3.0 х4

Объем 500 Гб; форм-фактор M2 2280; скорость чтения до 6900 Мб/с; скорость записи до 5000 Мб/с; интерфейс NVMe PCIe Gen 4.0 х4

Тип внутренний накопитель; Объем 256 Gb; Контроллер Silicon Motion SM2263XT; Тип чипов памяти NAND; Количество бит на ячейку 3 бит TLC; Структура памяти 3D NAND; Буферная память нет;